STMicroelectronics: une étape franchie dans le FD-SOI

Par rapport au précédent procédé en 40 nm, la technologie FD-SOI de 18 nanomètres avec mémoire à changement de phase embarquée (ePCM) permet notamment d'améliorer le rapport performances/consommation énergétique de plus de 50%, explique ST.

Cette technologie de semiconducteurs de nouvelle génération, codéveloppée avec Samsung Foundry, permet par ailleurs d'avoir recours à des mémoires de capacités plus importantes tout en élevant le niveau d'intégration des périphériques analogiques et numériques, fait valoir le fabricant de puces.

Des échantillons du premier microcontrôleur de la famille STM32 utilisant cette nouvelle technologie doivent être fournis à des clients privilégiés au deuxième semestre 2024, avant une entrée en production prévue au second semestre 2025.

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