GE: mise au point de semi-conducteurs résistant à 800°C

(CercleFinance.com) - GE annonce qu'une équipe de scientifique de sa division GE Research a établi un nouveau record avec la mise au point de transistors à effet de champ SiC (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) capables de tolérer des températures supérieures à 800 degrés Celsius, soit 200°C de plus que le précédent record.


Cette démonstration montre le potentiel de ces semi-conducteurs à prendre en charge de futures applications dans des environnements de fonctionnement extrêmes.

Alors que l'activité aérospatiale de GE cherche à améliorer en permanence ses systèmes aéronautiques pour ses clients commerciaux et militaires et à développer de nouvelles applications dédiées à l'exploration spatiale et aux véhicules hypersoniques, " la construction d'un portefeuille d'électronique qui puisse fonctionner dans des environnements d'exploitation extrêmes est essentielle ", indique GE.


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